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中科院传来好消息

中国正在全力探索芯片技术,可是传统的硅基芯片已经到达了一定的顶点,如果再往下发展,可能最多到1nm的层次就无法突破了。根据芯片制造巨头台积电的规划,将在2022年下半年实现3nm芯片的量产。

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到了3nm,那么距离芯片的物理极限就会越来越近。一旦达到了极限,人类所需求的算力可能无法达到更高的层次,芯片运算的能力会局限在一定的范围内。所以在必要时刻,必须在全新的技术领域展开探索。比如光量子芯片。

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光量子芯片上,中科院传来好消息,官宣结果。由中国科学院院士,中国科学技术大学教授郭光灿带领团队,与浙江大学戴道锌,中山大学董建文等研究组合作,在光子能谷霍尔效应下,完成了相关的量子干涉实验。

郭光灿院士团队成功取得能谷相关拓扑绝缘体芯片结构的重大突破,对光量子芯片的研究和发展作出了重要贡献。

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光子能谷霍尔效应对光子芯片的元器件集成度有非常好的提升作用,而实现了量子干涉更是在光量子信息传输过程中具有重要意义。

可以说这次突破为中国光量子芯片的探索打下了更坚实的基础。

国产芯“换道超车”

和传统的芯片不同,光量子芯片在传输效率和降低功耗磨损方面,都能取得更出色的成绩。

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放眼全球芯片行业,基于硅基芯片发展了几十年。由于硅基芯片的技术较为稳定,且形成了庞大的产业链,所有的芯片制造技术都是通过硅基芯片来实现。但考虑到芯片极限的问题,摩尔定律迟早会有失效的一天。到那时候,芯片又该以怎样的方向发展下去呢?

所以需要探索碳基、氮化镓、光量子等全新的芯片材料和芯片技术。有了此次光量子芯片的突破研究,国产芯或将“换道超车”。

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走传统的路线很难追上别人,国外领先几十年的芯片,设备及材料技术,不是一朝一夕就能追赶上的。但如果换道超车,探索全新的发展路线,走别人没有走过的路,一旦取得成功,那么将为这个世界带来更多的可能性。

没有人规定只能朝着硅基芯片的方向发展,若是能在光量子芯片实现相关产业链的布局,恐怕不用等光刻机了,在同样先进的芯片领域,也能率先完成部署。

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中国光量子芯片的探索,研究

在光量子芯片领域,中国其实是有一定探索和研究的,而且并非中科院首次取得相关突破,在此之前就有关于光量子芯片的好消息传来。

比如今年1月份,中山大学,国防科大等高校组织,研究机构参与了新型可编程光量子芯片的研发,在多种图论问题上实现了量子算法的求解。

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相关的光量子芯片突破,研究,可以深化中国量子技术的运用。不论是数据搜索,模型调控还是粒子可分辨性等方面,都是量子技术的重点体现。

中国在光量子芯片的探索研究还有很长的路要走。要想取得和硅基芯片产业链相当的实力水准,短期内还无法实现。

但任何领先的技术,产业链都是通过不断的积累,才能取得最终的成功。相信中国会不断深耕,取得国产芯片的崛起。

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总结

中国芯片任道而道远,要弥补和对方几十年的差距,要在光刻机、光刻胶、芯片制程技术等方面取得国际水准,仍需脚踏实地。所幸的是,中国也在尝试全新的芯片发展方式,如果能够成功,对现有的芯片产业链将会带来很大的提升。

量子计算作为各国争相研发的技术,中国已经有一定的积累了,相信中国还会有更大的突破。

对光量子芯片你有什么看法呢?

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