最近,中国科学院学部主席团执行主席、中科院院士白春礼在主旨演讲中表示,要组织实施好重大科技任务,充分发挥社会主义市场经济条件下新型举国体制优势,针对当前的“卡脖子”问题,通过采取“揭榜挂帅”等方式,加快突破关键核心技术制约。

在集成电路领域要着眼长远系统、谋划重大项目布局,为解决事关长远发展的“心腹之患”问题提供战略性技术储备。

在举国体制下,中国集成电路装备、材料都取得了长足进步。迫使国内外公司纷纷表态,不能离开中国市场。

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ASML表态:DUV光刻机供应中国,不受禁令影响

第三届进博会,ASML展示了其DUV光刻机。ASML明确表示,DUV可以供应美国,不受贸易制裁禁令影响。

ASML相当于变相地告诉世界他要进军中国市场,毕竟荷兰阿斯麦心中也清楚,如果他不选择中国市场,很可能会将自己的产业直接延缓几十年。

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ASML展示的DUV光刻机也能生产7纳米及以上制程芯片,而且价格要比EUV光刻机低很多。相较于DUV光刻机,EUV光刻机只要一次曝光,就能实现7纳米工艺芯片的制造,而用DUV需要多重曝光。

虽然受禁令影响,但ASML明白中国市场丢不起,要知道如今在3nm工艺的光刻机上,只有台积电一位客户,这样一来ASML就不能随心所欲地开出价格,只能任由台积电的压价,毕竟除了台积电以外,也没有其他客户有需求,在芯片半导体市场上,无论现在还是未来,ASML只会变得越来越被动。

另外,DUV(深紫外线)光刻机更是能从尼康、佳能那里找到替代,在全球晶圆制造大扩产之际,日本出让点儿DUV技术给中国,也是十分好理解的。

中芯国际官宣:N+1工艺(等效7nm)量产,使用DUV

在国家大力扶持下,我们的国产半导体产业也字节进入到了飞速发展期,国内晶圆代工龙头中芯国际,目前已完成了FinFET N+1先进工艺的流片和测试工作。

所谓的N+1工艺,是中芯国际的工艺代号,是14nm工艺之后的新一代IC制程工艺。业界普遍认为,从性能提升、功耗降低和面积缩小等角度,N+1工艺是可以与台积电7nm工艺比肩的新工艺。

这也意味着中芯国际已经初步具备生产7nm芯片的能力。这确实是一个鼓舞人心的爆炸性消息。

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DUV技术,制造7nm,中国没问题

就在中芯国际官宣具备7nm工艺能力后,国产光刻机也传来了好消息,中科院以及上海微电子目前正在全力攻克国产光刻机的技术难题,国产首台28nm光刻机研制成功。预计在明年可以顺利完成国产28nm光刻机的量产。

更重要的是这台国产28nm光刻机在经过多重曝光下,最高可实现7nm芯片量产,虽然还无法媲美目前最顶尖的EUV光刻机设备,但这套国产光刻机设备诞生,绝对可以完成绝大部分芯片生产。

28nm DUV光刻机,一次曝光即可制造28nm芯片。两次曝光可制造14nm芯片、三次曝光曝光更是可以制造生产10/7nm芯片。

当然,对应良率、成本会有所提高。

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但在国家大力投入及支持下保证供应链国产的硬实力面前,成本也会逐步降低。

除了光刻机传来好消息以外,国产光刻胶也传来了好消息,根据新浪官方报道,在11月13日,能宁波南大光电材料有限公司已经正式取得了技术突破,该公司(国内)首条ArF高端光刻胶产线已经正式投入生产,根据业内人士爆料,南大光电所生产的ArF光刻胶,可用于国产7nm芯片的量产。

这意味着我们国产芯片产业链的两大技术短板,目前都已经取得了重大突破。

在国家不计代价的投入下,完全可以使用国产光刻机、国产ArF光刻胶,来实现7nm芯片生产。

2021年,国产28nm光刻机下线量产,必然会用到制造7nm的研发之中。

而相关配套装备材料,如刻蚀机、清洗剂、光刻胶等,更是接连突破,小编相信,2022年我们就能见到真正国产7nm的芯片。

遐想一下,2023年,国产7nm点亮手机的那一刻,真的不遥远。让我们拭目以待。