惋惜!台积电关键人物!复旦高材生入籍台湾!

2020-10-29 17:09:59 半导体圈

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来源:半导体行业观察

日前,中国台湾“内政部 ”公布归化高级专业人才审查会审查结果,美国籍的曹敏通过审查,归化成为台湾人,这受到各界瞩目。

据报道,曹敏毕业于上海复旦大学电子工程学系,之后赴美留学,取得美国斯坦福大学物理系博士学位。

台湾方面的报道指出 ,美国籍的曹敏专长是半导体研发设计,曾带领台湾积体电路制造股份有限公司团队,开发20纳米及10纳米制程技术。最值得一提的是,他带领台积电1400人团队,进行跨部门合作,历经3年的坚持努力,突破高介电材料/金属闸技术,并创新采用双重曝光技术,成功开发20纳米制程技术。

20纳米能顺利投产的另一个关键技术是双重曝光(double patterning)技术,这也是台积电首次采用这项技术。曹敏团队开发出智能图案拆解技术及创新的多层蚀刻保护膜,能克服光罩对准问题的限制,使双曝双蚀刻制程达到可控制量产的要求。曹敏强调,「在双重曝光领域,台积电有大量创新,业界只有我们能成功运用,遥遥领先竞争对手。」

这项成果让台积电的晶圆密度能够超越全球芯片巨擘英特尔(Intel),技术大幅领先国际,增强台积电的竞争力,确保在晶圆代工领域的领先地位,并于2013年获得经济部产业创新奖的年度创新突破奖肯定。

据台积电官网介绍,曹敏博士于2018年2月起担任台积公司技术发展Pathfinding副总经理。在此之前,曹敏博士自2016年起担任Pathfinding处资深处长。曹敏博士于2002年加入台积公司,成功协助开发多项先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)制程技术,包括90纳米、65纳米、40纳米、28纳米、20纳米以及10纳米。

自2006年至2008年,曹敏博士带领了40纳米泛用型制程技术的开发,此项技术也是台积公司首款利用超密度微缩的纳米制程。2009年,首次利用高介电常数金属闸极(HKMG)技术,成功带领了28纳米高效能制程的开发。曹敏博士其后亦带领研发团队开发20纳米及10纳米制程技术。

在加入台积公司之前,曹敏博士自1994年至1999年任职于惠普实验室(Hewlett-Packard Laboratories),1999年至2000年任职于PDF解决方案公司(PDF Solutions),2000年至2002年任职于百利通半导体公司(Pericom Semiconductor)。

曹敏博士在集成电路技术领域共拥有36项专利。曹博士曾在许多委员会担任重要职务,包括国际电子元件会议(IEDM)和国际VLSI技术和电路专题研讨会。曹敏博士毕业于上海复旦大学电子工程学系,于旧金山州立大学物理学系取得硕士学位,并于美国斯坦福大学物理学系取得博士学位。

现在,曹敏担任研究发展/技术发展/Pathfinding副总经理。接下来,台积电在3纳米后,技术蓝图要如何发展,是否要用新方法提高价值,就要靠他研究。

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芯片项目烂尾项目频现,10月20日,国家发改委也按捺不住,撂下狠话,“一些没经验、没技术、没人才的“三无”企业投身集成电路行业,个别地方对集成电路发展的规律认识不够,盲目上项目 ”,“按照’谁支持、谁负责’原则,对造成重大损失或引发重大风险的,予以通报问责。”

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近一年来,随着需求的进一步活跃,芯片持续火爆,天眼查专业版数据显示,我国目前有23万余家经营范围含“集成电路、芯片”且状态为在业、存续、迁入、迁出的集成电路相关企业。

2020年前8个月中国有近万家企业转投芯片行业,其中,江苏1262、浙江1230、陕西905、天津277、辽宁239、重庆230、江西1 69家企业转产半导体,同比分别增长了196.94%、547.37%、618.25%、 465.31%、387.76%、 422.73%和412.12%。

与火热相随的则是,烂尾现象层出不穷。

其中一个比较出名的项目是武汉弘芯,该项目规划总投资达1280亿元,2019年12月,该公司还为其首台高端光刻机进厂举行了隆重的仪式。作为武汉市明星项目上马,曾邀请到曾经履职台积电和中芯国际的半导体行业风云人物蒋尚义担任总经理,如今却传出停工甚至可能烂尾。其拥有的全国唯一的7纳米ASML光刻机在被引进一个多月后,即被抵押给武汉农商行,估值为5.8亿元。

实际上这台所谓的7纳米光刻机,和想象的差距有点大,根据天眼查上的数据,武汉弘芯的 “7nm”光刻机实际型号为TWINSCAN NXT:1980Di,是ASML公司2015年推出的光源波长为193nm的DUV光刻机,其单次曝光最大分辨率支持到38nm。而要达到7nm的标准,需要进行四重曝光,这意味着需要多次更换掩膜版,使得在多重对准方面面临极大的挑战,良品率难以提高、量产难度大。

而除了武汉弘芯,公开报道显示,这两年我国还有四川、贵州、江苏、河北等多省都出现了半导体制造项目先后烂尾的情况。

此外,跨界玩芯片的泡沫可能也要破灭了,昨日晚间,专门做潜水、股价一年暴涨了17倍的中潜股份公告被证监会立案调查,跨界收购戛然而止,7000余名股东被“埋”。

潮水落去,梦想最终都还是要回归到现实中来。

没经验、没技术、没人才?发改委也“怒了”:谁支持、谁负责!

昨日疯传的回应中,发改委表态少见的严厉。发改委新闻发言人孟玮称,目前部分地方盲目上马集成电路项目,将没经验、没技术、没人才的“三无企业”投身集成电路产业,盲目上项目造成低水平重复建设,厂房空置、造成资源浪费。

孟玮表示,针对当前芯片行业出现的乱象,国家发改委下一步将重点做好4方面工作。一是加强对集成电路重大项目建设的服务和指导,做好规划布局。二是加快落实新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,抓紧出台配套措施。三是建立“早梳理、早发现、早反馈、早处置”的长效工作机制,降低集成电路重大项目投资风险。四是按照“谁支持、谁负责”原则,对造成重大损失或引发重大风险的,予以通报问责。

除了发改委,近期官媒频频发文预警,半导体处于当今科技前沿,技术变化更新快,产业竞争格局变化快,地方政府准确识别项目的质量,甚至判断资本动机的善恶,不是容易事。相对专业化的产业而言,局外人更像是在盲人摸象。若对专业化风险预估不足,重金投入的结果就是被反噬,浪费稀缺资源。正因为芯片资源的稀缺禀赋,更需建立“追责”手段以形成制度上的“硬预算约束”。

芯谋研究首席分析师顾文军近期撰文称,芯片制造是一个需要长期投资、持续支持的产业,从规划建设到盈利,开花结果三五年寻常;从筹备到上市,九转功成十年打磨普遍。技术资金实力强如台积电、中芯国际和华虹集团,也是许多年后才实现盈利。而现在上马的产线,出资方往往以当地政府为主,而政府主导的项目,因为官员换届、调动导致项目风险极大。这些问题,都应该在产业上马前搞清楚。

“不少地方政府在特定领域如面板、照明、太阳能等领域的招商引资往往取得成功,但并不代表集成电路领域的投资也能成功,仍然需要慎重思考和甄别:项目团队是否靠谱?人才库准备好了吗?技术来源确定了吗?人文环境建设好了吗?总之,上马集成电路项目需要谋定而后动。”顾文军说。

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