三星电子成功研发3D芯片封装技术“X-Cube”，宣称此种垂直堆栈的封装方法，可用于7纳米制程，能提高芯片代工能力，要借此和业界领袖台积电一较高下。

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三星官网13日新闻稿称，三星3D IC封装技术X-Cube，采用硅穿孔科技（through-silicon Via，TSV），能让速度和能源效率大跃进，以协助解决次世代应用程序严苛的表现需求，如5G、人工智能（AI）、高性能计算、行动和穿戴设备等。

三星芯片代工市场策略的资深副总Moonsoo Kang说：“三星的新3D集成技术，确保TSV在先进的极紫外光（EUV）制程节点时，也能稳定联通”。有了X-Cube，IC设计师打造符合自身需求的定制化解决方案时，将有更多弹性。X-Cube的测试芯片，以7纳米制程为基础，使用TSV技术在逻辑晶粒（logic die）堆栈SRAM，可释放更多空间、塞入更多内存。

有了3D集成方案，晶粒间的信号传输路径将大为缩短，可加快数据发送速度和能源效率。三星宣称，X-Cube可用于7纳米和5纳米制程。

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韩国时报13日报道，封装是芯片生产的重要环节，过去几年来，三星强化封装技术，超薄封装能缩短集成电路的信号传输路径，加快传递速度、提升能源效率。三星将在16~18日的Hot Chips峰会，公布更多X-Cube的细节。