有消息报道，美国一代的芯片巨头英特尔的旗舰芯片一直以来都是使用中国科学院微电子研究所的专利，涉及到的产品包括英特尔的酷睿系列芯片。
英特尔的酷睿芯片可是其重要的产品系列，也是英特尔为了回击高通的一款高效率、低能耗的芯片，其一直以来都用于PC电脑系列，如果这一侵权判定成功，英特尔将会承受一定的罚款。
进一步的消息称，英特尔侵权中国科学院微电子研究所的专利为，半导体器件结构及其制作方法，及半导体鳍制作方法，英文简写FinFET专利。
这个专利的厉害之处在于哪？用通俗一点来说，如果没有中科院微电子研究所的这一项专利，可能现在的芯片在耗能乃至体积上都大大的打折扣。
在2020年IEEE给予华人科学家颁布了荣誉勋章，主要为了表彰胡正明发明了FinFET的结构，从而使得整个芯片行业突破了100nm的大关，也让摩尔定律得以延续。在FinFET结构没有发明出来之前，芯片的制造只要接近100nm的时候，芯片的漏极就会出现严重的漏电乃至电子迁移，使得芯片的体积止步于100nm的大关，当时业界认为，如果没有更好的材料替代硅材料、或许其它更好的传输方式的话，摩尔定律将要终结于100nm。
但华人科学家发明了FinFET结构，使得芯片乃至半导体制造中克服了漏极漏电的问题，才使得现在的芯片可以做到5nm乃至如未来台积电的2nm先进制程。
FinFET结构在半导体行业可是革命性的科技创新，但是中国科学院微电子研究院的专利不是FInFET的结构，而是为了更好的制造FinFET结构中的鱼鳍结构，这可是FinFET结构的关键制程。
这一关键制程涉及到多家半导体制造公司，但是其专利都已经被中国科学院微电子研究院形成了专利壁垒，其它公司非常难突破该专利壁垒。
从这一点来说，中国的芯片制造研究已经成熟并达到了世界领先水平，其实也很好理解，因为在芯片制造方面乃至设计方面，需要不断的迭代与改善才能做出好的产品。
然而芯片的实效需要大量的制造样本，但是目前芯片制造的60%以上都在中国，中国有着大量的芯片制造的经验以及芯片失效分析的经验，所以饭铺到制造设计上边才会做到优秀。
所以英特尔侵权中国科学院微电子研究院的专利并不奇怪，其传递的消息无非就是我们在过去认真踏实地搞制造与研究，现在做出了非常优秀的成绩，也相信在未来，中国的芯片产业发展越来越好，从而不会被别人卡脖子。
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