集微网消息，8月5日，澜起科技披露投资者调研报告，回答了投资者关于在研项目、研发进度及预计量产时间、DDR5相关配套芯片等方面的问题。
关于公司目前的在研项目方面，澜起科技表示，目前在研项目主要有三大类：1、接口类芯片。包括DDR5内存接口芯片及与其配套芯片（串行检测芯片（SPD）、温度传感器(TS)、电源管理芯片(PMIC)）；PCIe4.0Retimer芯片。2、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。3、人工智能芯片。
其中，关于公司DDR5内存接口芯片的研发进度及预计量产时间，澜起科技回答到，2019年澜起科技已完成符合JEDEC标准的DDR5第一代RCD及DB芯片工程样片的流片，这些工程样片于2019年下半年送样给澜起科技主要客户和合作伙伴进行测试评估，澜起科技计划在2020年完成DDR5第一代内存接口及其配套芯片量产版本芯片的研发，实际量产时间取决于服务器生态的成熟度。根据行业普遍预测，DDR5第一代预计量产时间为2021年底到2022年上半年。
关于DDR5相关配套芯片的作用及研发进度，澜起科技解释道，串行检测芯片（SPD）是专用于内存模组的EEPROM（带电可擦可编写只读存储器）芯片，用来存储内存模组的关键配置信息；温度传感器(TS)用来实时监测DDR5内存模组温度的传感器；DDR5服务器内存模组电源管理芯片(PMIC)是在DDR5内存模组上为各个器件提供多路电源的芯片。研发进度方面，2019年澜起科技与合作伙伴已完成符合JEDEC标准的DDR5服务器内存模组配套芯片工程样片的流片，并送样给内存模组厂商评估。DDR5内存模组的配套芯片，将与DDR5内存接口芯片、DDR5内存颗粒一起组成DDR5内存模组整体解决方案。
据披露，澜起科技目前合作的晶圆代工厂商主要是台积电和富士通电子，合作的封装测试厂商主要是星科金朋和矽品科技。
对于内存接口芯片各子代产品的价格变动规律，澜起科技表示，DDR4世代中Gen1.0、Gen1.5、Gen2.0、Gen2plus产品因技术和性能升级，起始平均销售单价有所提高；同时在每一子代的生命周期里，随着时间推移，销售单价逐年降低。随着单价较高的新产品销售占比逐渐提升，2016-2019年澜起科技内存接口芯片的平均销售单价有所上升。
此外，澜起科技补充到，内存接口芯片行业的影响因素主要有以下几个方面：1、下游服务器出货量的变动；2、平均每台服务器所配置内存模组数量的变动；3、使用1+9架构的LRDIMM的数量及其在整个内存模组市场中占比的变动。
除了内存接口芯片，澜起科技还介绍了津逮产品。据了解，津逮系列CPU是具有预检测（PrC）和动态安全监控（DSC）功能的x86架构处理器。此外，混合安全内存模组可对来自内存控制器的命令/地址信号以及交互数据进行实时监控，为服务器提供更可靠的数据安全方案。澜起科技第一代津逮服务器平台已于2019年中具备批量供货能力，国内数家服务器厂商已推出多款基于津逮CPU的服务器产品。2019年，澜起科技津逮服务器平台产品的销售收入1,628万元，相比2018年度增长81%。
对于公司未来打算，澜起科技表示，澜起致力于为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案。一方面，将积极利用资金优势保证研发投入，做好新产品的研发；另一方面，利用闲置资金投资安全性高、流动性好、收益稳定的银行存款及理财产品，提高利息收入及投资收益，增强公司抵御风险的实力；同时，将持续关注行业发展动态，利用自身资源，寻找合适的产业链投资及并购机会。
对于未来的发展战略及未来若干年的成长空间。澜起科技表示，将专注于集成电路设计领域的科技创新，围绕云计算及人工智能领域，不断满足客户对高性能芯片的需求，在持续积累中实现企业的跨越式发展，为股东创造良好回报，为社会贡献有益价值。澜起科技未来三年的发展目标是通过持续不断的研发创新，提升澜起科技在细分行业的市场地位和影响力，同时开拓新的业务增长点。其中：1、在接口类芯片领域，一方面澜起科技将继续巩固内存接口芯片业务的市场领先地位，完成第一代DDR5内存接口芯片和相关配套芯片的研发和产业化；另外，澜起科技将积极研发PCIe相关芯片，并实现产业化。2、在数据中心业务领域，持续升级津逮服务器CPU及其平台，为数据中心提供高性能、高安全、高可靠性的CPU、混合安全内存模组等产品，持续提升市场份额。3、在人工智能芯片领域，澜起科技将聚焦客户需求，挖掘潜在商机，研发有竞争力的芯片解决方案，为可持续发展提供新的业务增长点。(校对/Arden）
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