电子科大钙钛矿电子器件方向多岗位招聘|博士后|招聘|电子器件|课题组|钙钛矿

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课题组介绍

课题组致力于电子信息材料和功能器件，如薄膜晶体管（TFT）、逻辑电路、存储器、光电探测、神经形态器件等。针对当前信息显示及集成电路领域稀缺的高性能P型（空穴）半导体及相关电子器件，开发了一系列新型材料：如2022-2023年连续刷新可媲美P型低温多晶硅的锡基钙钛矿TFT，并于近日在国际上首创实现了高性能非晶P型半导体和逻辑器件的研发。目前课题组掌握多项国际最先进的半导体和器件制备技术，课题组将依托电子科技大学以及基础与前沿研究院优势平台，同时与海内外多个光电器件领域知名课题组保持着长期紧密的合作关系，鼓励并将积极推荐至海内外知名高校及研究机构交流合作及深造。课题组将继续聚焦新型半导体研发并围绕可兼容大规模产业化的电子薄膜及器件制备、逻辑器件集成工艺，实现低成本大面积的CMOS技术等开展研究，助力我国新一代半导体、电子信息技术的发展。因科研团队发展建设需要，现开放特聘研究员（正高，博导）、特聘副研究员（硕导）和博士后等职位招聘。博士后在站优秀者可在合同结束后留校直接聘为特聘副研究员岗位。

联合导师介绍

刘奥，电子科技大学基础与前沿研究院，教授、博士生导师，入选国家高层次人才计划青年项目，先进半导体材料和器件课题组负责人。博士毕业于韩国浦项科技大学，随后加入美国西北大学从事博士后研究。在新型半导体材料(如氧化物、钙钛矿、卤化物等)开发和TFT器件方向做出系列开拓、原创性成果。如近日在国际上首创实现了高性能非晶P型半导体和逻辑器件的研发。迄今共发表论文90余篇，其中以第一/通讯作者（含共同）在Nature, Science, Nature Electronics, Nature Communications, Advanced Materials等期刊发表论文60余篇；论文被引用4800余次，h因子40（Google Scholar）。多次被Nat. Electron.、Nature Portfolio、ACS Energy Lett.、Tech Xplore等学术期刊和媒体亮点报道。授权中、韩发明专利10余项。获得了多项重要奖项，如Gordon Research Conferences“最佳论文奖”（2022年，亚太地区唯一获奖者），中国政府优秀自费留学生奖（2022年），韩国信息显示协会“青年领袖奖”（2022年）等。

朱慧慧，电子科技大学物理学院，特聘研究员、博士生导师，半导体薄膜与电子器件课题组负责人。韩国浦项科技大学博士，美国西北大学博士后。迄今共发表论文70余篇，其中以第一/通讯作者（含共同）在Nature, Nature Electronics, Nature Communications, Advanced Materials等期刊发表论文30余篇，封面论文7篇。论文被引用3700余次，h因子33（Google Scholar）。曾获多项重要奖项，如第十七届“春晖杯”中国留学人员创新创业大赛优胜奖、韩国三星“产研结合奖”，美国环宇显示“技术先驱奖”、“国家优秀自费留学生奖学金”、韩国信息显示协会奖、浦项制铁亚洲奖学金(POSCO Asia Fellowship)、Ruth L. Satter Fellowship（杰出女性科学家奖学金）等。主要研究兴趣包括钙钛矿TFT等光电器件、新型半导体材料、中长波红外探测等。

招聘需求

要求年龄35岁以下，获得或即将获得博士学位（电子工程、材料、化学、物理等专业），熟悉钙钛矿薄膜制备测试；有志开展半导体器件方向的研究，富有科研热情、创新能力及良好的团队协作精神，鼓励独立或结合组内特长开展科研工作。课题组将提供充足的科研工作和经费支持。薪酬福利优越，具体可面议。申请人请发送pdf版本的个人简历（包括详细的教育背景、研究经历、所发表论文信息等）以及其他可证明申请人科研能力的支撑材料至邮箱：ao.liu@uestc.edu.cn（刘奥），邮件主题请注明“申请岗位+申请人姓名”，申请材料通过初审后经面试考核择优录用。

部分代表作

1. Liu A.,* et. al., Amorphous p-channel transistors.Natureaccepted (2024).
2. Zhu, H., et. al., A-cation engineering for tin perovskite transistors and complementary circuits.Nature Electronics6, 650 (2023).
3. Liu, A., et. al., High-performance metal halide perovskite transistors.Nature Electronics6, 559 (2023).
4. Liu, A., et. al., High-performance inorganic metal halide perovskite transistors.Nature Electronics5, 78 (2022).
5. Zhu, H., et. al., Perovskite transistors clean up their act.Nature Electronics3, 662 (2020).
6. Zhu, H., et. al., High-performance hysteresis-free perovskite transistors through anion engineering.Nature Communications13, 1741 (2022).
7. Liu, A., et. al., Evaporated nanometre chalcogenide films for scalable high-performance complementary electronics.Nature Communications13, 6372 (2022).
8. Liu, A., et. al., High-performance p-channel transistors with transparent Zn doped-CuI.Nature Communications11, 4309 (2020).
9. Zhu, H., et. al., High-performance and reliable lead-free layered-perovskite transistors.Advanced Materials32, 2002717 (2020).
10. Liu, A.* and Zhu, H.*, Ion migration in tin halide perovskites.ACS Energy Letters9, 1639 (2024)