2021年中国DRAM产业市场竞争格局及发展趋势分析合肥长鑫市场份额有望进一步提升|dram|合肥|美光

存储芯片行业主要上市公司：中芯国际(688981)、兆易创新(603986)、紫光国微(002049)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)、澜起科技(688008)、北京君正(300223)等

本文核心观点：随着合肥长鑫DRAM制程技术水平和产能不断提升，其市场份额在国际巨头垄断的格局下有望得到提升

全球DRAM市场被巨头垄断，我国仅合肥长鑫拥有DRAM自主生产能力

DRAM的核心是利用0和1存储数据，属于半导体存储中的易失性存储器。从全球格局来看，DRAM行业历经多轮周期洗礼，目前仅以三星、SK海力士、美光三家巨头为主，其他厂商包括中国台湾的南亚科技、华邦电子等。2020年，全球DRAM市场中CR5份额合计达98.48%，相较于2019年的98.9%略有下滑，但仍然处于高度集中的状态。

注：右饼图中内圈为2019年市场份额，外圈为2020年市场份额。

当前我国专注于DRAM存储芯片共有三家公司：紫光南京、福建晋华、合肥长鑫。其中，紫光南京产品线覆盖标准SDR，DDR，DDR2，DDR3，DDR4和低功耗系列LPDDR2，LPDDR4，量产环节主要由力晶半导体完成，尚无自产能力。

福建晋华主要研发利基型DRAM技术，规划第一阶段做25nm 4GB DDR4/DDR3产品。但在2018年受到美国制裁，如今项目暂时处于停摆状态。合肥长鑫主要生产移动型DRAM，目前已具备量产能力。2018年成功量产DDR4，2019年成功量产LPDDR4，是现在大陆唯一能够自主生产DRAM的厂商。

长鑫DRAM处于17nm研发阶段，技术水平不断提升

从DRAM三巨头及长鑫工艺尺寸发展历程来看，全球前三大厂商——三星、SK海力士、美光在2016-2017年进入1Xnm(16nm-19nm)阶段，2018-2019年为1Ynm(14nm-16nm)，2020年处于1Znm(12nm-14nm)时代。目前，10nm进入第四阶段。三星已于2020年上半年完成首批1anm制程DRAM的出货，2021年美光、SK海力士也开始量产第四代10纳米级DRAM产品。目前我国DRAM行业最先进的长鑫正处于1Xnm阶段，落后约4年时间。

2019年长鑫存储完成了首颗国产19nm工艺的DDR4、LPDDR4内存研发量产，成为了全球第四家DRAM产品采用20nm以下工艺的厂商，计划于2021年完成17nm的工艺研发，并展开DDR5 DRAM产品研发。在容量、速率、工艺尺寸方面不断向全球领先DRAM厂商(三星等)靠近，国产DRAM芯片技术水平不断提升。

合肥长鑫DRAM产能不断提升，市占率有望得到进一步扩大

合肥长鑫DRAM产能在2019年达到2万片/月，2020Q1已达4万片/月，提前达到了产能预期，是我国DRAM存储芯片自主制造里程碑式的进步。当前已经启动8万片/月的建设目标，预计在2021年完成一期三阶段建设，产能预计达到12万片/月。目标总共建设三期，每期产能为12万片/月，全部建成后达到36万片/月。从市占率来看，2020年DRAM市场中，合肥长鑫市场份额不足5%，随着产能不断提升，预计到2022年有望达到近3%。